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M.Laube*; G.Pensl*; 伊藤 久義
Applied Physics Letters, 74(16), p.2292 - 2294, 1999/04
被引用回数：53 パーセンタイル：86.79(Physics, Applied)ホウ素(B)をイオン注入した炭化珪素(4H-SiC)半導体において、1700
CのアニールによりB原子の外方増速拡散が起こることを実験的に見いだした。また、この増速拡散は、C共注入あるいは900Cでの予備加熱(アニール前熱処理)を行うことで抑制できることが判明した。これらの実験事実は、B原子の増速拡散には格子間Si原子が関与することを示唆している。さらに、SiC単結晶内部に拡散したB原子の深さ方向濃度分布から、B拡散係数の温度依存性D(T)=D
exp(-E
/kT):D=10
cm
/s,E=4.7
0.5eVを決定することができた。
伊藤 久義; T.Troffer*; C.Peppermuller*; G.Pensl*
Applied Physics Letters, 73(10), p.1427 - 1429, 1998/09
被引用回数：31 パーセンタイル：76.89(Physics, Applied)六方晶炭化珪素(4H-SiC)半導体におけるホウ素(B)アクセプターの電気的活性化に対する炭素(C)または珪素(Si)共注入効果を、ホール測定及びフォトルミネッセンス(PL)測定法を用いて調べた。この結果、B注入層の正孔濃度は、B単独注入の場合と比較し、C共注入を行うと増加し、Si共注入を行うと減少することが解った。C共注入を高温(800C)で実施すると、室温C共注入と比べ、正孔濃度はより一層増加することを見出した。またPL測定より、浅い準位を有するBアクセプターに起因する波長383.9nmの発光線強度が、C共注入により増大することが解った。これらの結果は、B注入により作製したp型層の電気特性がC共注入により改善されることを示している。また本論文では、注入B原子の電気的活性化に対する共注入効果の機構についても議論する。
伊藤 久義; 大島 武; 吉川 正人; 梨山 勇; T.Troffer*; G.Pensl*
Ionics, 24, p.45 - 52, 1998/07
イオン注入を利用した炭化珪素(SiC)半導体の電気伝導制御技術の開発を目的に、六方晶SiC単結晶にドナー不純物としてリン(P)、アクセプター不純物としてアルミニウム(Al)、ホウ素(B)のイオン注入を実施し、注入層の電気特性の評価を行った。注入P原子の電気的活性化に対する注入温度依存性を注入P濃度を変化させて調べた結果、低抵抗層形成に要する高濃度ドーピングには高温注入が有効であることを見い出した。またAlまたはBに加えてCまたはSiの共注入を行い、電気特性変化を調べた結果、C共注入によりP型電気特性を改善できることが明らかになった。さらに、高温窒素(N)イオン注入を用いてnチャンネルエンハンスメント型MOSFET(金属・酸化膜・半導体電界効果トランジスタ)を試作した
伊藤 久義; D.Cha*; 磯谷 順一*; 河裾 厚男; 大島 武; 岡田 漱平; 梨山 勇
Proceedings of 3rd International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.28 - 33, 1998/00
電子線や原子炉中性子を照射した六方晶炭化珪素(6H-SiC)半導体単結晶における欠陥の構造とアニール挙動を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。照射n型6H-SiCにおいては、照射欠陥に起因する3種類のESR信号(NA,NB,NC)を見い出した。一方、照射p型6H-SiCでは、2種類のESR信号(PA,PB)が検出された。解析の結果、NA及びPA信号は同一の欠陥(Si単一空孔)に起因することが解った。NB,NC信号は、電子スピン2個の微細相互作用により説明でき、各々Si空孔-格子間原子対、二重空孔に起因すると推測される。PB信号については、
Si核スピンとの超微細相互作用による構造が観測された。角度依存性等の解析の結果より、PB中心はC単一空孔であると結論できる。また、等時アニールの結果、NB,NC中心は各々約800C、約200C、PB中心は約150Cで消失することが解った。
